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《微电子学概论》林--b03.ppt

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《微电子学概论》林--b03.ppt


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;固体材料:超导体: 大于106(?cm)-1 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;1. 半导体的结构;半导体的结合和晶体结构;2. 半导体中的载流子:能够导电的自由粒子;电子:Electron,带负电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子,对应于导带中占据的电子空穴:Hole,带正电的导电载流子,是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位,对应于价带中的电子空位;3. 半导体的能带 (价带、导带和带隙);共价键固体中价电子的量子态和能级共价键固体:成键态、反键态;价带:0K条件下被电子填充的能量最高的能带导带: 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带禁带:导带底与价带顶之间能带带隙:导带底与价带顶之间的能量差;半导体中载流子的行为可以等效为自由粒子,但与真空中的自由粒子不同,考虑了晶格作用后的等效粒子有效质量可正、可负,取决于与晶格的作用;4.半导体的掺杂;施主和受主浓度:ND、NA;施主能级;本征载流子浓度: n=p=ni np=ni2 ni与禁带宽度和温度有关;6. 非本征半导体的载流子;多子:多数载流子 n型半导体:电子 p型半导体:空穴 少子:少数载流子 n型半导体:空穴 p型半导体:电子;7. 电中性条件: 正负电荷之和为0;n型半导体:电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体:空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na;8. 过剩载流子;9. 载流子的输运;影响迁移率的因素:有效质量平均弛豫时间(散射〕;扩散电流;过剩载流子的扩散和复合;描述半导体器件工作的基本方程;方程的形式1; 电流连续方程 ; 电流密度方程 ;爱因斯坦关系;重 点;作 业 ;第二次作业;第一次作业;THANK YOU

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