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《微电子学概论》--cha思p03.ppt

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《微电子学概论》--cha思p03.ppt


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YOUR TITLE;集成电路发展的原动力:不断提高的性能/价格比;集成电路的关键技术:光刻技术(DUV);集成电路的制造过程: 设计 工艺加工 测试 封装;集成电路产业的发展趋势:独立的设计公司(Design House)独立的制造厂家(标准的Foundary);3.2 双极集成电路基础(具有速度快、稳定性好、负载能力强等特点);二、双极型数字集成电路;是一种或非门,只要有一个输入为高电平,输出则为低电平。这种电路速度较慢,负载能力和抗干扰能力较差。;这种电路在速度和延迟功耗积方面有了进一步提高。;三、双极模拟集成电路;3.3 MOS集成电路基础;;基本电路结构:CMOS;基本电路结构:CMOS; CMOS集成电路已成为整个半导体集成电路的主流技术,目前市场占有率超过95%。 CMOS是pMOSFET和nMOSFET串接起来的一种电路形式,为了在同一硅衬底上同时制作出p沟和n沟MOSFET,必须在同一硅衬底上分别形成n型和p型区域,并在n型区域上制作pMOSFET,在p型区域上制作nMOSFET。如果选用n型衬底,则可在衬底上直接制作pMOSFET,但对于nMOSFET必须在硅衬底上形成p型扩散区(常称为p阱)以满足制备nMOSFET的需要。;深亚微米CMOS晶体管结构 STI(Shallow Trench Isolation)(浅沟道绝缘);二、MOS数字集成电路;NMOS管开关;PMOS管开关;CMOS传输门(开关);CMOS传输门;2.反相器;MOS反相器主要类型;(a).电阻负载反相器(E/R);(b).增强型负载反相器(E/E);E/E非饱和负载反相器;(c).耗尽负载反相器(E/D);栅源短接的E/D反相器 ; E/R、E/E、E/D反相器都是有比电路(ratioed gate): 即输出低电平和驱动管的尺寸有关。;(d)CMOS反相器(一对互补的MOSFET组成);3. CMOS反相器电压传输特性VTC;CMOS反相器电压传输特性VTC;0≤Vi

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